碳化硅外延厚度测定原理 在硅同质/异质外延生产中,红外傅立叶变换光谱技术(FTIR)是测试硅外延层厚度一种非常成熟的方法,具有准确、快速、无损等优势,非常适合工业化使用。因此在碳化硅外延厚度测定上也得到了推广应用,已形成了《GB/T 42905-2023碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》标准。 ...
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
此外,汞探针CV和FT-IR测量结果证明,掺杂和晶圆厚度均匀性也与蚀刻时间有关系。 该实验使用反应器完成同质外延层生长,透过SiH4/C3H8系统分别供给矽和碳。载气和外延层生长还原剂使用高纯度工业级氢气气体;添加10%的氮气气体充当掺杂剂。本实验中使用的反应器是东京威力科创出品的商用低压力热壁化学气相沉积反应器。...
磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层 厚度分析 VERTEX 系列光谱仪可用于测量半导体层状结构 中的层厚度,精度极高。此应用是基于对红外光 在层状结构中产生的光干涉效应的分析,可用于 亚微米量级至毫米量级的厚度分析。 用反射或透射实验分析层厚度。 专用的分析软件,用于分析复杂的层状结构。...
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