ASTM F47-94
ASTM F47-94

标准号

ASTM F47-94

发布

1970年

发布单位

/

当前最新

ASTM F47-94

 

 

引用标准

ASTM D1 ASTM E7 ASTM F26 ASTM F416

适用范围

1.1 本测试方法2用于确定硅锭或硅片是否为单晶结构，如果是单晶结构，则确定可能存在的位错密度。也可以描绘出漩涡和条纹。描述这些晶体缺陷是为了避免在计算位错蚀刻坑时出现混淆。注 1：测试方法 F416 虽然具有破坏性，但更适合检测氧化引起的缺陷。
1.2 本程序适用于位错密度在 0 到 100 O00 cm-* 之间的硅晶体。
1.3 可以评估电阻率低至 0.005 il cm 的 p 型或 n 型掺杂硅晶体。该测试方法适用于评估沿[11i]或[1001方向生长的硅晶体。
1.4 该测试方法利用化学优先蚀刻剂来描绘晶体缺陷。包括两种蚀刻剂，用于 [1 1 i] 硅的 Sirtl 蚀刻 (9.4.1) 和用于 [1001 硅 (9.4.2) 的 Schimmel 蚀刻。虽然 Sirtl 蚀刻的用途仅限于 [1 1i] 硅，但 Schimmel 蚀刻可用于在 [lo01 和 [ill] 方向上生长的硅晶体。注 2-DIN 50434 与此测试方法的不同之处在于它不包括 (100) 硅的程序，它提供了表面质量的四位数数字分类，并且使用稍微不同的程序来计算位错数量。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。特殊危险 __ 该测试方法由 ASTM 电子委员会 F-1 管辖，并由硅材料和过程控制小组委员会 F01.06 直接负责。当前版本于 1994 年 7 月 15 日批准。1994 年 9 月发布。最初发布为 F 47 64 T。上一版本为 F 47 88。2DIN 50434 是等效方法。这是 DIN 委员会 NMP 221 的职责，F-1 委员会与该委员会保持密切的技术联络。 DIN 50434，无机半导体材料的测试：确定蚀刻[ill]表面上单晶硅样品的晶体缺陷，可从 Beuth Verlag GmbH Burggrafenstrasse4-10，DI000 Berlin 30，德意志联邦共和国获得（另请参见第 10.05 卷）。第 10 节给出了危险说明。

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