ASTM F1723-96
用浮区晶体增长和光谱法评估多晶硅竿材的标准实施规范
Standard Practice for Evaluation of Polycrystalline Silicon Rods by Float-Zone Crystal Growth and Spectroscopy
- 标准号
- ASTM F1723-96
- 发布
- 1996年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F1723-02
- 当前最新
- ASTM F1723-02
- 引用标准
- ASTM D5127 ASTM F1241 ASTM F1389 ASTM F1391 ASTM F1630 ASTM F26 ASTM F397 ASTM F47 ASTM F723
- 适用范围
- 1.1 本实践推荐了对多晶硅棒进行取样并通过浮区技术从这些样品中生长单晶的程序。通过分光光度法分析所得单晶锭，以确定多晶硅中的痕量杂质。这些痕量杂质是受主（通常是硼或铝，或两者）、施主（通常是磷或砷，或两者）和碳杂质。
1.2 本实践涵盖的杂质浓度的有用范围是 0.002 至 100 份/十亿原子（ ppba) 用于受体和供体杂质，0.05 至 5 份/百万原子 (ppma) 用于碳杂质。通过红外或光致发光光谱分析锭样品中的这些杂质。
1.3 本做法仅适用于评估通过利用细硅棒（硅丝）沉积多晶硅的方法生长的多晶硅锭。
1.4 本做法使用热酸蚀刻掉多晶硅棒的表面。蚀刻剂具有潜在危害，必须始终在酸性排气通风柜中极其小心地处理。氢氟酸溶液尤其危险，不熟悉相应材料安全数据表中给出的具体预防措施和急救处理的任何人不应使用。
1.5 本标准并不旨在解决所有安全问题，如果任何与其使用相关的。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。