经过对比测试和分析发现,在磷化铁气氛下退火制备的半绝缘磷化铟晶片不仅缺陷少,而且具有良好的均匀性。 为了进一步研究这种退火衬底对相邻外延层的实际影响,研究人员使用分子柬外延技术分别在原生掺铁的和磷化铁气氛退火制备的半绝缘磷化铟衬底上生长了相同的 InAlAs 外延层。测试结果表明后者更有利于生长具有良好结晶质量的外延层。...
异质外延生长要求两种材料之间的晶格相互匹配,就像造房子一样把砖头一块块对齐,否则易产生缺陷。因此异质外延生长只有在特定的衬底上长出特定的材料,难以实现不同晶格材料的异质集成。游天桂团队利用了一种更为灵活的异质集成材料制备方法。他们将国外1995年发明的离子束剥离与转移技术推广到化合物半导体领域,将其变成一种制备化合物半导体异质集成材料的通用技术。...
一直以来研究人员面临的挑战是如何将Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体同现有的生产硅基设备的低成本处理技术相结合,因为硅和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体之间存在着巨大的晶格失配度,让这些化合物半导体直接在硅衬底上进行异质外延生长面临着巨大挑战,并可能导致产品出现大量缺陷。 ...
过去几十年,科学家们只能通过选择晶格结构和晶格常数相近的材料进行外延生长成为纵向异质结,也可以通过两种成核能相差较大的材料自组装成为横向异质结。无论是哪种生长方式,外延薄膜的晶相都严格取决于衬底的晶相,同时薄膜承受的应力也由衬底与薄膜之间的晶格常数失配度决定。这种自然选择的薄膜外延方式大大局限了研究人员在面内构筑不同晶相或不同应力状态的同质结。图1....
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号