SJ 20016-1992
半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范
Semiconductor discrete device.Detail specification for NPN silicon low-power hiht-reverse-voltage transistor for type 3DG182GP、GT and GCT classes
SJ 20016-1992 发布历史
SJ 20016-1992由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1992-02-01，并于 1992-05-01 实施。
SJ 20016-1992 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。
SJ 20016-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范的最新版本是哪一版？
最新版本是 SJ 20016-1992 。
SJ 20016-1992的历代版本如下：
- 1992年 SJ 20016-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范
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