SJ 20016-1992
半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范

Semiconductor discrete device.Detail specification for NPN silicon low-power hiht-reverse-voltage transistor for type 3DG182GP、GT and GCT classes

标准号

SJ 20016-1992

发布日期

1992年02月01日

实施日期

1992年05月01日

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

CN-SJ

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