SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction


说明:

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SJ/T 10627-1995



标准号
SJ/T 10627-1995
发布日期
1995年04月22日
实施日期
1995年10月01日
废止日期
2010-02-25
中国标准分类号
H82
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-SJ
适用范围
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω.cm的N型或P型直拉硅晶片,其热循环可为单一温度或双温度。




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