SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法已作废

Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

标准号

SJ/T 10627-1995

发布日期

1995年04月22日

实施日期

1995年10月01日

废止日期

2010-02-25

中国标准分类号

H82

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准适用于室温电阻率大于0．1Ω．cm的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一温度或双温度。