SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
SJT10627-1995, SJ10627-1995
2010-02
- 标准号
- SJ/T 10627-1995
- 别名
- SJT10627-1995, SJ10627-1995
- 发布
- 1995年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 10627-1995
- 适用范围
- 本标准适用于室温电阻率大于0．1Ω．cm的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一温度或双温度。