SJ 2214.6-1982
半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法
Method of measurement for collector-emitter reverse breakdown voltage of semiconductor phototransistors
SJ 2214.6-1982 发布历史
SJ 2214.6-1982由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1982-11-30，并于 1983-07-01 实施。
SJ 2214.6-1982 在中国标准分类中归属于: L54 半导体光敏器件，在国际标准分类中归属于: 31.260 光电子学、激光设备。
SJ 2214.6-1982的历代版本如下：
- 1982年11月30日 SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法
SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法 于 2015-04-30 变更为 SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法。
- 标准号
- SJ 2214.6-1982
- 发布日期
- 1982年11月30日
- 实施日期
- 1983年07月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- L54
- 国际标准分类号
- 31.260
- 发布单位
- CN-SJ
- 代替标准
- SJ/T 2214-2015