高温四探针测试仪测量系统,该系统可以测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻,该设备按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准而设计的。 ...
高温四探针测试仪的测量原理 测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容-电压法、扩展电阻法等,四探针法则是一种广泛采用的标准方法,高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理,同时采用了双电测组合四探针法。 经典的直排四探针法测试电阻率,要求使用等间距的探针,如果针间距离不等或探针有游移,就会造成实验误差。当被测片较小或在大片边缘附近测量时,要求计入电场畸变的影响进行边界修正。 ...
对非共线自旋结构的观察很多都是利用从晶体中提取的薄片进行的。磁性纳米粒子,即反斯格明子和布洛赫斯格明子,已被发现同时存在于由具有二维对称的反四方赫斯勒化合物形成的单晶片层中。然而,制作四方赫斯勒化合物的薄膜以及在其中的自旋结构测量仍然具有挑战性。图1. 100K温度MFM成像研究35 nm厚Mn2RhSn薄膜中纳米级磁性结构的演化研究内容通过各种直接成像技术可以在真实空间中观察到斯格明子。...
高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。那么高温四探针测试仪的测量原理是什么呢?测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容 -电压法、扩展电阻法等,四探针法则是一种广泛采用的标准方法,高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理,同时采用了双电测组合四探针法。...
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