SJ/T 11824-2022由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2022-10-20,并于 2023-01-01 实施。
SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 SJ/T 11824-2022 。
反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量等。...
易用的TPSM82480 DC/DC模块将功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和屏蔽电感集成到一个小尺寸封装中,用于空间和高度受限的应用。例如负载点电信、网络、测试和测量电源。欲了解更多信息、样品和评估模块,请访问。 TI高度集成的TPSM82480在整个温度范围内保持所需的6A输出电流,无需额外的气流。...
MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。...
碳化硅(SiC)上的栅氧化膜会严重影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。本文作者通过电容 - 电压(C-V)测试研究了应力/应变引起的曲率对栅氧界面态密度(Dit)的影响。外延晶片的曲率通过薄膜应力测量系统进行测试。在干热氧化过程中,压缩/拉伸曲率导致SiO2的正Vfb偏移(负固定电荷),SiO2 / SiC的界面态密度增加。...
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