ASTM F951-02
ASTM F951-02
- 标准号
- ASTM F951-02
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F951-02
- 引用标准
- ASTM F1188 ASTM F1366 ASTM F1619 ASTM F533
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖了微电子半导体器件制造中常用的硅片中间隙氧浓度径向变化的测试地点选择和数据缩减程序。
1.2 本测试方法旨在通过选择适当的测试位置计划作为裁判测试和生产测试。
1.3 间隙氧含量可按照测试方法 F 1188 或 F 1619、DIN 50438/1、JEIDA 61 或测试双方商定的任何其他程序进行测量。注 1——测试方法 F 1366 并非基于红外吸收测量，它测量的是总氧含量，而不是间隙氧含量。这也是一种破坏性技术。然而，如果对测试程序进行适当的修改，它可以用于确定氧含量的径向变化。
1.4 测试样品可接受的厚度和表面光洁度在适用的测试方法中规定。该测试方法适用于化学蚀刻、单面抛光和双面抛光的硅晶片或切片，不存在可能对通过测试样本（以下称为切片）的红外辐射传输产生不利变化的表面缺陷，前提是采用适当的氧测试方法内容被选择。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。