ASTM E720-16
选择和使用中子传感器用于确定电子辐射硬度测试中使用的中子光谱的标准指南
Standard Guide for Selection and Use of Neutron Sensors for Determining Neutron Spectra Employed in Radiation-Hardness Testing of Electronics
哪些标准引用了ASTM E720-16
ASTM E2450-23 混合中子光子环境中CaF＜inf＞2ASTM D1879-06(2023) 粘合剂样品暴露于电离辐射的标准实施规程ASTM E496-14(2022) 测量中子注量和平均能量的标准试验方法 使用放射活化技术产生的3H（d n）4He中子发生器ASTM E721-22 电子设备辐射硬度试验用中子传感器中子能谱测定的标准指南ASTM E265-15(2020) 通过硫-32的放射性测量反应速率和快中子流量的标准测试方法ASTM E1855-20 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法ASTM E722-19 电子设备辐射硬度试验用等效单能中子注量表征中子注量谱的标准实施规程ASTM E1854-19 确保电子零件中子诱发位移损伤试验一致性的标准实施规程ASTM F1190-18 中子照射无偏电子元件的标准指南ASTM F980-16 硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南ASTM E721-16 用于确定电子辐射硬度测试中子传感器中子能谱的标准指南ASTM E2450-16 在混合中子光子环境中应用CaF2 (Mn) 热释光剂量计的标准实施规程ASTM E265-15 通过硫-32的放射性测量反应速率和快速中子注量的标准试验方法ASTM E1855-15 作为中子光谱传感器和位移破坏性监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法ASTM E496-14e1 采用放射性技术测量3 H40;d,n41; 4 He中子发生器所产生的中子通量率和平均能量的标准试验方法ASTM E722-14 电子辐射硬度测试用等效单能中子注量中中子注量谱表征的标准实施规程ASTM E496-14 采用放射性技术测量3 H40;d,n41; 4 He中子发生器所产生的中子通量率和平均能量的标准试验方法ASTM E1854-13 确保电子部件的中子引起的位移损伤试验一致性的标准实施规程ASTM E2450-11 中子光子混合环境中CaF2(锰)热发光剂量计应用的标准操作规程ASTM F1190-11 无偏电子元件中子辐照的标准指南ASTM E721-07 电子辐射强度试验用中子探测器测定中子能谱的标准指南ASTM E265-07e1 用硫-32的放射性测量快速中子流量密度和反应速率的测试方法ASTM D1879-06(2014) 暴露在电离辐射下胶粘剂样品的标准操作规程ASTM E1855-05e1 作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管的使用的标准试验方法ASTM F980M-96(2003) 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
- 标准号
- ASTM E720-16
- 发布
- 2016年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM E720-23
- 当前最新
- ASTM E720-23
- 引用标准
- ASTM E1018 ASTM E1297 ASTM E170 ASTM E181 ASTM E261 ASTM E262 ASTM E263 ASTM E264 ASTM E265 ASTM E266 ASTM E393 ASTM E496 ASTM E704 ASTM E705 ASTM E721 ASTM E844 ASTM E944
- 1.1 本指南涵盖了用于电子半导体器件辐射硬度测试的中子谱调整技术中所采用的中子活化探测器材料的选择和使用。描述了已在许多辐射硬度测试设施中使用的传感器，并在表脚注中提供了有关每个反应的适当性的评论，这些评论是通过其横截面精度、作为传感器的易用性以及过去的成功应用来判断的。本指南还讨论了在选择传感器厚度、传感器盖和传感器位置时需要考虑的注量均匀性、中子自屏蔽...
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