T/CASAS 016-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

标准号

T/CASAS 016-2022

发布日期

2022年07月18日

实施日期

2022年09月08日

废止日期

无

中国标准分类号

C397

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

中国团体标准

适用范围

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。

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