GB/T 5252-2020
锗单晶位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of monocrystal germanium
GBT5252-2020, GB5252-2020
说明：
- 此图仅显示与当前标准最近的5级引用；
- 鼠标放置在图上可以看到标题编号；
- 此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小；
- 表示标准的节点，可以拖动；
- 绿色表示标准：GB/T 5252-2020 ， 绿色、红色表示本平台存在此标准，您可以下载或者购买，灰色表示平台不存在此标准；
- 箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。
- 标准号
- GB/T 5252-2020
- 别名
- GBT5252-2020
GB5252-2020 - 发布
- 2020年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 5252-2020
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 5252 GB/T 8756
- 被代替标准
- GB/T 5252-2006
- 本标准规定了钞单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于(111》、 (100}和人1113)面钞单唱位错密度的测试 ,测试范围为0 cm “一100 000 cm “。
GB/T 5252-2020相似标准
推荐
云锗牵手中科院 共建光电半导体材料联合实验室
公告显示，7月7日，双方在昆明高新区云南国家锗材料基地内举行“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司一中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”揭牌仪式，通过建立联合实验室开展相关合作研究和技术开发，就重点系统研究解决产业化中低成本单晶生长炉的设计和制造技术，研究开发高产能大直径低位错密度单晶生长关键工艺技术、高平整度开盒即用抛光晶片加工关键技术、光电半导体单晶片批量生产中质量和成本控制技术进行合作。 ...
南昆士兰大学陈志刚/昆士兰大学邹进Chemical Reviews：先进热电材料与器件设计的研究进展
螺型位错所引起的晶格畸变比刃型位错引起的晶格畸变要小得多，因此对声子的散射作用有限。然而，螺型位错能够引起材料能带结构的特殊变化，因此一定密度的螺型位错可能产生独特的热电特性。计算结果预测具有高密集螺型位错的铋锑合金的热电优值可以达到7，实验结果也发现具有螺型位错的铼掺杂n型二硒化钨具有高达700 μV K-1的绝对塞贝克系数。...
【华恒仪表冠名】236项推荐性国家标准发布，多项与仪器分析方法相关
-01-013GB/T 2423.51-2020环境试验 第2部分：试验方法 试验Ke：流动混合气体腐蚀试验GB/T 2423.51-20122021-01-014GB/T 5252-2020锗单晶位错密度的测试方法GB/T 5252-20062021-05-015GB/T 5687.12-2020铬铁 磷、铝、钛、铜、锰、钙含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法2020-10-016GB/T...
《Matter》：锗在极端温度下的微纳力学性能
随着温度升高，锗在3个温度区间展现了2次塑性变形机理的转变：（1）全位错到半位错的转变和（2）韧脆转变，如图一所示。对比发现，这一现象和另外一类闪锌矿结构（zincblende structure）的半导体类似。图1：半导体中以温度为函数的塑性形变机理3. 单晶锗的尺寸效应微纳力学研究揭示，力学性能上的尺寸效应，广泛存在于各种材料当中。...