GB/T 33236-2016
多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

GBT33236-2016, GB33236-2016

GB/T 33236-2016 发布历史

GB/T 33236-2016由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 发布于 2016-12-13，并于 2017-11-01 00:00:00.0 实施。

GB/T 33236-2016 在中国标准分类中归属于: G04 基础标准与通用方法，在国际标准分类中归属于: 71.040.40 化学分析。

GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法的最新版本是哪一版？

最新版本是 GB/T 33236-2016 。

GB/T 33236-2016 发布之时，引用了标准

• GB/T 6682 分析实验室用水规格和试验方法
• ISO/TS 15338:2009 表面化学分析.辉光放电质谱测定法(GD-MS).使用介绍

GB/T 33236-2016的历代版本如下：

• 2016年 GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

本标准规定了采用辉光放电质谱(GD-MS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。 本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%(质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

标准号

GB/T 33236-2016

别名

GBT33236-2016
GB33236-2016

发布

2016年

发布单位

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

当前最新

GB/T 33236-2016

 

 

引用标准

GB/T 6682 ISO/TS 15338:2009

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