GB/T 41751-2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

GBT41751-2022, GB41751-2022


标准号
GB/T 41751-2022
别名
GBT41751-2022, GB41751-2022
发布
2022年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 41751-2022
 
 
引用标准
GB/T 14264
适用范围
本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。

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