T/IAWBS 008-2019
SiC晶片的残余应力检测方法
Experimental method for residual stress in SiC wafers
说明：
- 此图仅显示与当前标准最近的5级引用；
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- 箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。
- 标准号
- T/IAWBS 008-2019
- 发布
- 2019年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/IAWBS 008-2019
- 近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导...