DIN 50438-1:1995
半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in silicon by infrared absorption - Part 1: Oxygen
- 标准号
- DIN 50438-1:1995
- 发布
- 1995年
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 当前最新
- DIN 50438-1:1995
- 适用范围
- 本文件规定了两种红外吸收法无损测定硅中氧含量的方法。
DIN 50438-1:1995相似标准
推荐
快速了解硅氧的吸收峰
-1-1995 半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧标准链接：https://www.antpedia.com/standard/sp/169888.html...
工信部批准公布563项行业标准 多项与仪器分析方法相关
2021-07-01YB/T 4908.6-2021钒铝合金 氧、氮含量的测定 惰性气体熔融红外吸收法和热导法 本标准规定了惰性气体熔融红外吸收法测定氧含量和热导法测定氮含量。 本标准适用于钒铝合金中氧和氮含量的测定，氧的测定范围（质量分数）：0.010%～1.000%；氮的测定范围（质量分数）：0.003%～0.600%。...
5月实施检验检测相关国家标准汇总
/3022/5/1GB/T40561-2021光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法21/10/1122/5/1GB/T40566-2021流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法21/10/1122/5/1GB/T40632-2021竹叶中多糖的检测方法21/10/1122/5/1GB/T40639-2021化妆品中禁用物质三氯乙酸的测定21/10/1122/...
掺氮直拉单晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低温远红外测量
在半导体材料领域，硅基半导体材料目前产量最大、应用最广，90%以上的半导体产品仍用单晶硅作为衬底材料制作。目前大尺寸硅片已成为硅片市场最主流的产品。硅片生产中在拉晶过程中，需要解决氧含量及径向均匀性、杂质的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、电阻值定量、掺杂及径向均匀性等众多问题，同时对检测表征等保障技术也提出了更高的要求。...