T/NXCL 016-2022
200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片

200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer


标准号
T/NXCL 016-2022
发布
2022年
发布单位
中国团体标准
当前最新
T/NXCL 016-2022
 
 
适用范围
       本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属(铁)含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体(微小颗粒沾污)和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。

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