T/IAWBS 014-2021
碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
说明：
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- 标准号
- T/IAWBS 014-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/IAWBS 014-2021
- 随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低系统成本方面的优势，将被广泛应用在5G通信、智能电网、高速轨...