碳化硅外延厚度测定原理 在硅同质/异质外延生产中,红外傅立叶变换光谱技术(FTIR)是测试硅外延层厚度一种非常成熟的方法,具有准确、快速、无损等优势,非常适合工业化使用。因此在碳化硅外延厚度测定上也得到了推广应用,已形成了《GB/T 42905-2023碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》标准。 ...
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
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