DIN 50455-2:1999
半导体技术用材料的试验.表征光敏抗蚀剂的方法.第2部分:阳极光敏抗蚀剂的光敏度的测定
Testing of materials for semiconductor technology - Methods for the characterisation photoresists - Part 2: Determination of photosensitivity of positive photoresists
- 标准号
- DIN 50455-2:1999
- 发布
- 1999年
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 替代标准
- DIN 50455-2:1999-11
- 当前最新
- DIN 50455-2:1999-11
- 根据该文件的方法涵盖了通过将硅晶片上的单层正性光刻胶与参考光刻胶的确定的光敏性进行比较来表征光刻胶。
DIN 50455-2:1999相似标准
推荐
推荐阅读| 光刻胶的研发及应用进展
基于KTFR的光刻胶一般采用重氮萘醌为感光剂，感光剂曝光后失去氮产生硝酸，引发副反应，曝光部分在显影液中不溶，由于易发生膨胀导致周边出现毛刺，使其分辨率受到限制，因此该类光刻胶的分辨率极限在2 μm。该体系在 1957~1972 年间一直为半导体工业的主力体系，为半导体工业的发展立下了汗马功劳。KTRF光刻胶2....
一文盘点当前微纳加工技术
在基片表面涂覆一层某种光敏介质的薄膜（抗蚀胶），曝光系统把掩模板的图形投射在（抗蚀胶）薄膜上，光（光子）的曝光过程是通过光化学作用使抗蚀胶发生光化学作用，形成微细图形的潜像，再通过显影过程使剩余的抗蚀胶层转变成具有微细图形的窗口，后续基于抗蚀胶图案进行镀膜、刻蚀等可进一步制作所需微纳结构或器件。 掩模板是根据放大了的原图制备的带有透明窗口的模板。...
JACS: 光动力疗法与免疫检查点阻断疗法协同作用治疗乳癌
图2 ZnP@pyro的制备与表征 （A）ZnP@pyro核-壳结构的示意图；（B）ZnP@pyro的TEM图；（C）ZnP@pyro在PBS中的数均直径；（D）注射ZnP@pyro后血液中光敏剂（pyrolipid ）的含量与时间的关系；（E）ZnP@pyro在带4T1肿瘤小鼠中的生物分布和肿瘤吸收。...
应用案例 | 工业纯钛TA2的金相制备
↑↑↑ 点击图片查看大图Etching腐 蚀为了观察显微组织，钛可以用标准腐蚀剂，如Kroll''s侵蚀剂腐蚀，腐蚀后的微观结构见上图。如果终抛时间较长，样品通常会很快被过度腐蚀（t≤1）秒。可以先将样品放置于空气中，表面会形成钝化层，半小时后再进行腐蚀，材料与腐蚀剂的反应就不太强烈。...