NF C96-017-2008
半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films.

NF C96-017-2008 发布历史

NF C96-017-2008由法国标准化协会 FR-AFNOR 发布于 2008-01-01，并于 2008-01-26 实施。

NF C96-017-2008 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。

NF C96-017-2008的历代版本如下：

• 2011年06月01日 NF C96-017-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验.
• 2008年01月01日 NF C96-017-2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验
• 2020年11月06日 NF C96-017-2020 半导体器件. 第17部分: 基本绝缘和增强绝缘用磁性和电容耦合器

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标准号

NF C96-017-2008

发布日期

2008年01月01日

实施日期

2008年01月26日

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

FR-AFNOR