NF C96-017-2008
半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films.

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标准号

NF C96-017-2008

发布日期

2008年01月01日

实施日期

2008年01月26日

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

FR-AFNOR