非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 CSN 35 8971-1984 前三页,或者稍后再访问。
如果您需要购买此标准的全文,请联系: 。
点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......
非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 CSN 35 8971-1984 前三页,或者稍后再访问。
点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......
Park NX-Mask是一台专为EUV和In-Line打造的光掩膜缺陷修复设备,它配有最先进的原子力显微镜光掩膜缺陷修复系统,适用于高端EUV半导体制造以及掩膜修复fab。Park原子力显微镜期待您的光临!...
澳大利亚国立大学的Chennupati Jagadish教授(通讯作者)团队,利用TMIn和PH3为前驱体采用选区金属有机气相外延法(MOVPE)合成了InP半导体纳米线。通过控制Ⅴ/Ⅲ流率比和掩膜开孔直径等生长条件。研究人员测量了纳米线长度生长数据,分别建立了掩膜缺陷直径以及Ⅴ/Ⅲ流率比与长度之间的关系。基于这些数据,研究人员认为,至少在初步成核阶段的SAE过程中表现出了VLS的典型特征。...
(d)从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。(a),(b),(c)和(d)各类电压对器件的影响。(e)使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和(f)相应实验结果(g)使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和(h)相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟,储存器和光电电路。...
对于电路编辑从业者,应用领域包括:探索和验证设计变更无需昂贵且耗时的掩膜组制造便可制造出新的器件原型复制和定标修复调试和优化已投入生产的器件对许多人来说,电路编辑可带来真正的益处,这些益处通常可量化为成本节约、生产力和面市时间。例如,快速原型制作能力使开发人员能够主动调试、修复和验证已知问题的修复,而无需致力于掩膜旋转。它消除了不必要的晶圆成本和进度拖延。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号