BS EN 60749-17:2003
半导体器件.机械和气候试验方法.中子辐照
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Neutron irradiation
- 标准号
- BS EN 60749-17:2003
- 发布
- 2003年
- 发布单位
- 英国标准学会
- 当前最新
- BS EN 60749-17:2003
- 被代替标准
- 00/203283 DC-2000 BS EN 60749:1999
- 适用范围
- 进行中子辐照测试是为了确定半导体器件在中子环境中退化的敏感性。 本文描述的测试适用于集成电路和分立半导体器件。 该测试适用于军事和太空相关应用。 这是一个破坏性的测试。 测试的目的如下： a) 检测和测量关键半导体器件参数随中子注量变化的退化情况，以及 b) 确定在暴露于指定水平的中子能量后，指定的半导体器件参数是否在指定限度内。 中子注量（见第 4 条）。