ASTM F980M-96
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices [Metric]

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标准号: ASTM F980M-96
发布: 1996年
发布单位: 美国材料与试验协会
替代标准: ASTM F980M-96(2003)
当前最新: ASTM F980-16

适用范围: 1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速退火效应的要求和程序。该测试将导致受辐照设备的电气性能下降，应被视为破坏性测试。位移损伤的快速退火通常与双极技术相关。
1.2 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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