ASTM F673-90(1996)e1
用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法
Standard Test Methods for Measuring Resistivity of Semiconductor Slices or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gage
- 标准号
- ASTM F673-90(1996)e1
- 发布
- 1990年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F673-02
- 当前最新
- ASTM F673-02
- 引用标准
- ASTM E1 ASTM F374 ASTM F533 ASTM F81 ASTM F84
- 1.1 这些测试方法涵盖了硅和某些砷化镓切片的体电阻率的无损测量，以及使用非接触式涡流在有限范围的基板上在切片中心点制造的硅或砷化镓薄膜的薄层电阻的无损测量。电流表。 1.1.1 测量在 18 至 28176C 之间的室温下进行。 1.2 这些测试方法目前仅限于单晶和多晶硅以及外导电砷化镓块状样品或在相对高电阻率基底上制造的硅或砷化镓薄膜，但原则上可以扩展到...
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