ASTM E721-07由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2007。
ASTM E721-07 在中国标准分类中归属于: N51 物性分析仪器。
了解电子设备辐射硬度测试中使用的特定中子源的能谱非常重要,以便将辐射效应与设备性能退化联系起来。本指南描述了选择和实施频谱调整方法时必须考虑的因素。尽管指南 E 720 中讨论了传感器(箔)的选择和响应(活动)的确定,但实验不应脱离分析。事实上,进行光谱测定的分析人员密切参与实验设计是有利的,以确保获得的数据提供尽可能准确的光谱。这些数据包括以下内容:(1)测量的响应,例如暴露在环境中的箔的活动及其不确定性,(2)响应函数,例如反应横截面以及适当的相关性和不确定性,(3)测试环境,以及 (4) 从输运计算或以前的经验中获得的试验函数或先验谱及其不确定性。
1.1 本指南涵盖了确定电子辐射硬度测试中使用的中子能量微分注量谱的程序。半导体器件。本指南特别涵盖的中子源类型是在稳态或脉冲模式下使用的裂变或退化能量裂变源。
1.2 本指南提供了在选择频谱调整方法的过程中可以应用的指导和标准,最适合现有数据并与所调查的环境相关。
1.3 本指南将与指南 E 720 一起使用来表征中子能谱,并与实践 E 722 一起使用来表征通常与电子半导体器件的辐射硬度测试相关的损伤相关参数。注 1 虽然指南 E 720 仅讨论激活箔传感器,但可以使用已知响应函数的任何能量相关中子响应传感器 ()。 注 2 有关本指南中使用的术语,请参见术语 E 170.1.4 中规定的值SI 单位被视为标准。本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。
高纯半导体材料的主要分析方法之一。用同位素中子源和小型加速器产生的通量为1012厘米-2·秒-1以上的中子流辐射被测定样品。中子与样品中的元素发生核反应,生成放射性同位素及γ射线。例如Si+n→Si+γ。用探测器和多道脉冲高度分析器来分析同位素的放射性、半衰期及γ射线能谱,就能鉴定出样品中的痕量元素。...
它的基本原理是用高能强流质子加速器产生能量在1GeV以上的质子束轰击重元素靶(如钨或铀),在靶中发生散裂反应,产生大量的中子(图1)。其特点是在较小的体积内可产生较高的脉冲中子通量,能提供的中子能谱更加宽广。此外,散裂中子源还具有高脉冲通量和优越的脉冲时间结构,低本底,且不使用核燃料,只产生极少量活化产物等诸多独特优点。...
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