ASTM E1161-03
半导体和电子元件放射性检验的标准试验方法

Standard Test Method for Radiologic Examination of Semiconductors and Electronic Components


ASTM E1161-03 发布历史

ASTM E1161-03由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2003。

ASTM E1161-03 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合。

ASTM E1161-03 半导体和电子元件放射性检验的标准试验方法的最新版本是哪一版?

最新版本是 ASTM E1161-21

ASTM E1161-03的历代版本如下:

  • 2021年 ASTM E1161-21 半导体和电子元件射线照相检验的标准实施规程
  • 2009年 ASTM E1161-09(2014) 半导体和电子元件射线检验的标准实施规程
  • 2009年 ASTM E1161-09 半导体和电子元件放射学检查标准实践
  • 2003年 ASTM E1161-03 半导体和电子元件放射性检验的标准试验方法
  • 1995年 ASTM E1161-95 半导体和电子元件的放射性的测试方法

 

该测试方法可用于确定半导体元件到接头安装材料、玻璃密封和盖密封区域中的空洞。它还可用于检查器件内部空腔的异物、导线磨损和未连接元件的键合位置。

1.1 本测试方法为半导体器件、电子元件和用于半导体器件的材料的无损射线照相检查提供了标准程序。这些项目的建设。该测试方法涵盖对这些物品进行射线照相检查,以检查是否存在可能的缺陷情况,例如密封外壳内的异物、内部连接不正确、用于元件安装的材料或密封玻璃中存在空隙,或物理损坏。

1.2 质量水平和验收被检验样本的标准应在详细图纸、采购订单或合同中规定。

1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

标准号
ASTM E1161-03
发布
2003年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM E1161-09
当前最新
ASTM E1161-21
 
 

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