ASTM F996-98(2003)
利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

被代替

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标准号

ASTM F996-98(2003)

发布

1998年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F996-10

当前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

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