利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
找不到引用ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法 的标准
同时,DS-FET具有与金属氧化物半导体场效应晶体管相比拟的驱动电流,作为亚60毫伏/量级的关态和开态特性综合指标的关键参数I60=10μA/μm,是目前已发表的隧穿晶体管最佳性能的2000倍,完全达到了国际半导体发展路线图(ITRS)对器件实用化的标准,能够满足未来超低功耗集成电路对晶体管的需要。 ...
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