SJ/T 11404-2009由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2009-11-17,并于 2010-01-01 实施。
SJ/T 11404-2009 在中国标准分类中归属于: M33 光通信设备,在国际标准分类中归属于: 33.180 光纤通信。
本规范规定了铌酸锂集成光学器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选、抽样要求、试验和测量方法的内容。 本规范适用于由铌酸锂材料制作的强度调制器、相位调制器、光开关以及用于光纤陀螺的Y波导相位调制器等,由钽酸锂材料制造的具有类似功能的集成光学器件可参照执行。
氮化硅是一种理想的辅助材料,具有与铌酸锂类似的折射率,通过合理的设计波导结构使得氮化硅—铌酸锂异质波导中的大部分光场仍然可以限制在铌酸锂层,从而发挥其优异的光学性能实现电光、声光及光学非线性器件。更重要的是,氮化硅是CMOS工艺兼容的材料,成熟的微纳加工工艺可以方便地实现氮化硅层的加工制作,有助于实现铌酸锂集成光电子芯片的大规模集成。...
济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接键合等技术,从铌酸锂体材料上剥离出厚度仅有数百纳米的单晶薄膜,用其制成器件与传统器件相比在性能、体积、功耗等方面都具有明显优势,在声表面波、电光调制、探测器、集成光学、非线性光学、信息存储等器件中具有重要应用前景。...
项目规划建成5条铌酸锂单晶薄膜材料自动化生产线,达产后实现年产值7.5亿元,年出口创汇9000万美元。该工程于去年10月开工,计划今年4月中旬完成主体验收,进行净化车间装修装饰,预计6月底全部完工,具备投产条件。 据了解,铌酸锂晶体是重要的光电材料,是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛、最重要的基片材料之一。...
作为一种同样拥有高二阶、三阶非线性系数的材料,铌酸锂在非线性上的进一步应用就深受拉曼效应和光折变效应的困扰。为此,研究团队对铌酸锂和碳化硅的拉曼强度进行了定量的对比,如图3(a)-(b) 所示,发现碳化硅的拉曼强度远低于铌酸锂。在光折边效应方面,对高Q腔测试了其谐振峰位与输入微瓦级功率的关系,如图3(d)-(e)。...
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