SJ/T 11404-2009
铌酸锂集成光学器件通用规范

General specifications for LiNbOintegrated optical devices

SJT11404-2009, SJ11404-2009


SJ/T 11404-2009 发布历史

SJ/T 11404-2009由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2009-11-17,并于 2010-01-01 实施。

SJ/T 11404-2009 在中国标准分类中归属于: M33 光通信设备,在国际标准分类中归属于: 33.180 光纤通信。

SJ/T 11404-2009 发布之时,引用了标准

  • GB/T 18310.4-2001 纤维光学互连器件和无源器件 基本试验和测量程序 第2-4部分;试验 光纤/光缆保持力
  • GB/T 191-2008 包装储运图示标志
  • GB/T 2421-1999 电工电子产品环境试验 第1部分;总则
  • GB/T 2423.1-2001 电工电子产品环境试验 第2部分;试验方法 试验A: 低温
  • GB/T 2423.10-2008 电工电子产品环境试验.第2部分: 试验方法.试验Fc: 振动(正弦)
  • GB/T 2423.11-1997 电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fd: 宽频带随机振动--一般要求
  • GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验.第2部分:试验方法.试验B:高温
  • GB/T 2423.22-2002 电工电子产品环境试验 第2部分;试验方法 试验N: 温度变化
  • GB/T 2423.28-2005 电工电子产品环境试验 第2部分;试验方法 试验T:锡焊
  • GB/T 2423.5-1995 电工电子产品环境试验 第2部分;试验方法 试验Ea和导则;冲击
  • GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序 第1部分;按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
  • GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
  • GJB 4026-2000 铌酸锂集成光学器件通用规范
  • SJ 20869-2003 铌酸锂集成光学波导调制器测试方法

SJ/T 11404-2009的历代版本如下:

 

本规范规定了铌酸锂集成光学器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选、抽样要求、试验和测量方法的内容。 本规范适用于由铌酸锂材料制作的强度调制器、相位调制器、光开关以及用于光纤陀螺的Y波导相位调制器等,由钽酸锂材料制造的具有类似功能的集成光学器件可参照执行。


SJ/T 11404-2009相似标准


推荐

有它助阵,集成光电子器件加工不再难

氮化硅是一种理想的辅助材料,具有与类似的折射率,通过合理的设计波导结构使得氮化硅—异质波导中的大部分光场仍然可以限制在层,从而发挥其优异的光学性能实现电光、声光及光学非线性器件。更重要的是,氮化硅是CMOS工艺兼容的材料,成熟的微纳加工工艺可以方便地实现氮化硅层的加工制作,有助于实现集成光电子芯片的大规模集成。...

我国率先实现单晶薄膜产业化

济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接键合等技术,从体材料上剥离出厚度仅有数百纳米的单晶薄膜,用其制成器件与传统器件相比在性能、体积、功耗等方面都具有明显优势,在声表面波、电光调制、探测器、集成光学、非线性光学、信息存储等器件中具有重要应用前景。...

济南将建成国内最大光子晶体材料研发中心

项目规划建成5条单晶薄膜材料自动化生产线,达产后实现年产值7.5亿元,年出口创汇9000万美元。该工程于去年10月开工,计划今年4月中旬完成主体验收,进行净化车间装修装饰,预计6月底全部完工,具备投产条件。   据了解,晶体是重要的光电材料,是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛、最重要的基片材料之一。...

硅基碳化硅异质集成:新型光子平台

作为一种同样拥有高二阶、三阶非线性系数的材料,在非线性上的进一步应用就深受拉曼效应和光折变效应的困扰。为此,研究团队对和碳化硅的拉曼强度进行了定量的对比,如图3(a)-(b) 所示,发现碳化硅的拉曼强度远低于。在光折边效应方面,对高Q腔测试了其谐振峰位与输入微瓦级功率的关系,如图3(d)-(e)。...


SJ/T 11404-2009 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号