GJB 6777-2009
军用电子元器件<左上标252>Cf源单粒子效应实验方法

Testing method of single event effects in Cf radiation source for military electronic devices


GJB 6777-2009 中,可能用到以下仪器

 

用于粒子成像测速(PIV)的荧光示踪粒子

用于粒子成像测速(PIV)的荧光示踪粒子

北京欧兰科技发展有限公司

 

GJB 6777-2009



标准号
GJB 6777-2009
发布日期
2009年05月25日
实施日期
2009年08月01日
废止日期
中国标准分类号
L10
发布单位
CN-GJB-Z
引用标准
GB 18871-2002 GJB 2172-1996 GJB 3756-1999
适用范围
本标准规定了军用电子元器件<左上标252>Cf源上进行实验室单粒子效应实验的方法和基本要求。 本标准适用于军用电子元器件<左上标252>Cf源单粒子效应试验。商用电子元器件亦可参照执行。




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