GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
Practice for shallow etch pit detection on silicon
GBT26066-2010, GB26066-2010
说明：
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- 标准号
- GB/T 26066-2010
- 别名
- GBT26066-2010
GB26066-2010 - 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 26066-2010
- 引用标准
- GB/T 14264
- 适用范围
- 本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001Ω·cm。