GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
Practice for shallow etch pit detection on silicon
GBT26066-2010, GB26066-2010
GB/T 26066-2010 发布历史
GB/T 26066-2010由国家质检总局 CN-GB 发布于 2011-01-10，并于 2011-10-01 实施。
GB/T 26066-2010 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 26066-2010 。
GB/T 26066-2010 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 26066-2010的历代版本如下：
- 2011年 GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001Ω·cm。
- 标准号
- GB/T 26066-2010
- 别名
- GBT26066-2010
GB26066-2010 - 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 26066-2010
- 引用标准
- GB/T 14264
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