GB/T 5201-2012
带电粒子半导体探测器测量方法
Test procedures for semiconductor charged particle detectors
GBT5201-2012, GB5201-2012
- 标准号
- GB/T 5201-2012
- 别名
- GBT5201-2012
GB5201-2012 - 发布
- 2012年
- 采用标准
- IEC 60333:1993 NEQ
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 5201-2012
- 引用标准
- GB/T 10263-2006 GB/T 13178-2008 GB/T 4960.6-2008
- 被代替标准
- GB/T 5201-1994
- 适用范围
- 本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验方法。 本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。 金耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。
推荐
硅微条探测器在高能物理实验中的应用
不仅如此，LHC上的ATLAS和CMS还采用了硅微条探测器代替漂移室作为径迹测量的径迹室。 近些年高能物理领域所有新的物理成果，从t夸克的发现到标准模型的证实，无不与这些高精度的具有优良性能的顶点探测器，径迹室等先进探测器密切相关。顶点探测器和径迹室主要用来测量高能带电粒子的径迹。物理学家们根据这些带电粒子在磁场中的运动轨迹计算出它们的动量。根据粒子的动量、能量、质量及其它性能来判别粒子。...
硅微条探测器的工作原理
根据探测器系统测得的带电粒子的信息，及带电粒子在各个微条上的位置参量，可以确定各有关带电粒子的运动轨迹及对撞后末态粒子的次级顶点等。根据谱仪内的磁场强度和粒子运动的轨迹可以计算出每个带电粒子的动量。 在设计、制作和使用硅微条探测器时需要考虑的一个重要原则问题是带电粒子在半导体探测器中的散射角度与探测器的厚度问题。因为半导体的密度比较大，带电粒子穿过探测器时，在探测器内部要经过多次散射。...