IEC 62483:2013由国际电工委员会 IX-IEC 发布于 2013-09,并于 2013-09-27 实施。
IEC 62483:2013 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合,在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。
本国际标准描述了适用于锡基表面处理环境验收测试的方法以及半导体器件上锡晶须的缓解措施。该方法可能不足以满足具有特殊要求@的应用(即军事@航空航天@等)。附加要求可以在适当的要求(采购)文件中指定。本国际标准不适用于仅底部端子的半导体器件,其中整个电镀表面在组装过程中被润湿(例如:四方扁平无引线和球栅阵列元件@倒装芯片凸块端子)。遵守本标准包括满足第 6 条中所述的报告要求。
综述总结了热电研究领域里的最新研究热点,包括数据科学辅助分析,低维热电材料与器件设计,自旋热电效应,高熵热电合金,离子热电,机械性能强化机制,先进热电性能分析测试手段,基于无机以及无机/有机复合热电材料的柔性器件设计,器件服役稳定性及评价方法,以及热电发电及制冷的最新应用。研究背景近年来,不可再生能源的过度消耗和因此造成的日益严重的环境问题已经引起世界上广泛的关注。...
在过去的十几年中,科研工作者们尝试多种方法去调控锡锗合金的结构与形貌,如外延生长法、脉冲激光熔融法、液相法等,仍无法制备高质量的锡锗合金纳米晶。权泽卫课题组运用了一种简单温和的方法:通过精细调控Ge2+离子前驱体溶液与已制备的锡纳米颗粒反应,合成带隙可调的半导体锡锗合金纳米晶(0.51 eV至0.71 eV)。使用的锡纳米晶模板可以大大降低反应的成核、结晶和生长的反应能垒。...
金锡合金密封工艺广泛应用于高可靠军用电子元器件产品上,对密封空洞的控制有很高的要求,基于此,以某型号控制电路需求为依托,针对陶瓷气密封装的密封空洞控制技术,研究了影响密封空洞的基本前提和关键因素。提出了焊料环设计、焊接气氛、原材料表面状态是决定密封空洞能否被有效控制的基本前提。在焊接峰值温度和焊接压力两个关键因素上进行优化方法对比实验,得出了最佳的提高密封空洞控制水平的有效方法。...
锡镀层有如下特点和用途﹕1﹐化学稳定性高﹔2﹐在电化序中锡的标准电位纰 铁正﹐对钢铁来说是阴极性镀层﹐只有在镀层无孔隙时才能有效地保护基体﹔3﹐锡导电性好﹐易焊﹔4﹐锡从-130C起结晶开始开始发生变异﹐到-300C 将完全转变为一种晶型的同素异构体﹐俗称”锡瘟”﹐此时已完全失去锡的性质﹔5﹐锡同锌﹑镉镀层一样﹐在高温﹑潮湿和密闭条件下能长成晶须﹐称为长毛 ﹔6﹐镀锡后在2320C以上的热油中重溶处理...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号