GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GBT14863-2013, GB14863-2013
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- 标准号
- GB/T 14863-2013
- 别名
- GBT14863-2013
GB14863-2013 - 发布
- 2013年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 14863-2013
- 引用标准
- GB/T 14141 GB/T 14146 GB/T 14847 SEMI MF110-1105
- 被代替标准
- GB/T 14863-1993
- 适用范围
- 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
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