SJ/T 11471-2014
发光二极管外延片测试方法

Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes

说明：

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标准号
SJ/T 11471-2014
发布日期
2014年10月14日
实施日期
2015年04月01日
废止日期
无
中国标准分类号
H83
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-SJ
引用标准
GB/T 6619 GB/T 6620 GB/T 6624-2009 GB/T 8758-2006 GB/T 8760-2006 GB/T 14140.2-1993 GB/T 1426.4-2009 GB/T 18907-2002 GB/T 20229 GB/T 20307-2006 GB/T 25915.1-2010 JB/T 7503 SJ/T 11394-2009 SJ/T 11395-2009 SJ/T 11399-2009 SJ/T 11470-2014
适用范围
本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。

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SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片


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