KS C IEC 60749-17-2006
半导体器件.机械和气候试验方法.第17部分:中子辐照

Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 17:Neutron irradiation

KS C IEC 60749-17-2006 发布历史

중성자 방사 시험은 중성자 환경에서 열화에 따른 반도체 소자의 내성(susceptibili

KS C IEC 60749-17-2006由韩国标准 KR-KATS 发布于 2006-11-30，并于 2006-11-30 实施。

KS C IEC 60749-17-2006 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。

KS C IEC 60749-17-2006的历代版本如下：

• 2006年11月30日 KS C IEC 60749-17-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第17部分:中子辐照
• 2021年12月29日 KS C IEC 60749-17-2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第17部分:中子辐照

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 KS C IEC 60749-17-2006 前三页，或者稍后再访问。

注意： 点击下载后，生成下载文件时间比较长，请耐心等待......

标准号

KS C IEC 60749-17-2006

发布日期

2006年11月30日

实施日期

2006年11月30日

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

KR-KATS

适用范围

중성자 방사 시험은 중성자 환경에서 열화에 따른 반도체 소자의 내성(susceptibili