锑化铟多晶、单晶及切割片 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
此外,针对于锑元素掺杂机理的研究,通过XRD,XPS,SEM以及TEM等表征手段,该团队发现在溶剂热法合成硒化锡微晶的过程中,掺入的锑元素显示-3价,其能够取代硒的位置并生成额外的硒空位,因而使该材料体系展现出n型半导体特性。该工作填补了硒化锡基块体热电材料中n型锑掺杂机理的空白,并为进一步提高n型多晶硒化锡的高热电性能提供了新的思路。...
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