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尽管有了这些进展,但与同型外延层相比,实现大晶格失配的异质外延层的良好晶体质量仍然具有挑战性,但同型外延往往需要非常昂贵的衬底。这限制了这种电子/光子材料在主要商业市场上的广泛应用。虽然先进的异质外延技术可以容纳器件(有源)层和衬底之间相对较大的晶格失配(通常失配大于10%),但如果失配超过几个百分点,不需要任何应变/域工程的直接异质外延通常会形成缺陷严重或多晶器件层。...
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰,在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法(FTIR)。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度,无论硅基还是化合物半导体,且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析,结合基础的物理自洽拟合模型,充分利用所测得的光谱特征,拟合计算给出准确的层厚厚度值。...
值得强调的是,二维Bi2O2Se表面可被逐层可控插层氧化减薄至1个单胞厚度(1.2纳米),并与高κ表面单晶氧化层Bi2SeO5形成原子级平整、晶格匹配的高质量半导体/介电层界面。结合微纳加工及可控刻蚀技术,精确控制二维鳍片的成核位点与生长过程,实现了单一取向的二维垂直鳍片/高κ自氧化物异质结阵列的定点和定向外延。并在此基础上实现了沟道厚度约6纳米的高性能二维鳍式晶体管(2D FinFET)的研制。...
图片来源:Science研究人员以单晶硅为模板,在其表面上利用电化学外延生长制备单晶金箔,随后在光照下通过光电化学氧化金箔下的硅层,来实现SiOx牺牲层的横向生长。再用HF处理,溶解掉SiOx牺牲层,金箔就可以被剥离下来。由于单晶硅模板每次只损耗几个纳米的厚度,因此理论上讲,一块模板可以重复使用上千次不成问题(下图)。单晶金箔的外延剥离示意图。...
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