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这种通过高温退火工艺所制备的半绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性,同时铁浓度大幅降低,电学性质、均匀性和一致性显著提高。目前半绝缘类型 InP 衬底的生产质量亟待改善和提高。 原生半绝缘 InP 是通过在单晶生长过程中掺入铁原子来制备的。为了达到半绝缘化的目的,铁原子的掺杂浓度较高,高浓度的铁很可能会随着外延及器件工艺过程发生扩散。...
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