这种通过高温退火工艺所制备的半绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性,同时铁浓度大幅降低,电学性质、均匀性和一致性显著提高。目前半绝缘类型 InP 衬底的生产质量亟待改善和提高。 原生半绝缘 InP 是通过在单晶生长过程中掺入铁原子来制备的。为了达到半绝缘化的目的,铁原子的掺杂浓度较高,高浓度的铁很可能会随着外延及器件工艺过程发生扩散。...
针对直拉单晶硅中杂质元素以及氮氧复合体的测量,布鲁克CryoSAS全自动、高灵敏度工业低温硅质量控制分析系统,通过测试位于中/远红外波段间隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位碳(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧复合体吸收谱带(249.8,240.4cm-1[1,2]),通过直接或间接计算获得相应元素含量值。...
GB/T 1910-2015 新闻纸 GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 GB/T 19341-2015 育果袋纸 GB/T 19769.1-2015 功能块 第1部分:结构 GB/T 19769.2-2015 功能块 第2部分:软件工具要求 GB/T 19769.4-2015 功能块 第4部分:一致性行规指南 GB/T 19835-2015 自限温电伴热带...
2016-07-01103GB/T 18987-2015放射治疗设备 坐标、运动与刻度GB/T 18987-20032017-07-01104GB/T 19199-2015半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-20032016-07-01105GB 19577-2015冷水机组能效限定值及能效等级GB 19577-20042017-01-01106GB/T 19633.1-...
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