ASTM F76-08(2016)
测量电阻率和霍尔系数和测定单晶半导体中霍尔迁移率的标准试验方法
Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors
ASTM F76-08(2016) 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- ASTM F76-08(2016)
- 发布
- 2008年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F76-08(2016)e1
- 当前最新
- ASTM F76-08(2016)e1
- 1.1 这些测试方法涵盖了测量单晶半导体样品的电阻率和霍尔系数的两个程序。这些测试方法的最大区别在于其测试样本的要求。 1.1.1 测试方法A，van der Pauw (1)8201;2—该测试方法需要单个连接的测试样本（没有任何孤立的孔），厚度均匀，但形状任意。触点必须足够小并且位于样本的外围。对于...
ASTM F76-08(2016)相似标准
推荐
实验室电输运性质测量系统TESTIK-9技术指标
产品功能：1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准2·电阻测量范围宽：100nΩ（低电阻选件）~ 100GΩ（高阻系统）；3·使用插入式样品卡，样品安装方便，同时提供四探针卡，免去制作电极的麻烦4·标准系统一次可以同时测量2个样品，增加选件可同时测量4个样品；5·测量和计算过程由软件自动执行，3分钟即可得到一个霍尔效应数据；6·提供长时间高稳定性的磁场，24小时稳定性...
FeSe单晶的高压霍尔效应研究获进展
FeSe单晶的温度-压力相图和霍尔系数电子相图。Ts：四方-正交结构相变(电子向列序Nematic)转变温度；Tm：长程磁有序转变温度；Tc：超导（SC）转变温度。图2. FeSe单晶不同压力、不同温度下的霍尔电阻数据。图3. FeSe单晶在不用压力下的电阻率和霍尔系数随温度的变化关系。...
刘新风等测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
c-BAs具有高的热导率以及超弱的电声耦合系数和带间散射，理论预测c-BAs同时具有颇高的电子迁移率（1400 cm2V-1s-1）和空穴迁移率（2110 cm2V-1s-1），这在半导体材料系统中颇为罕见，有望将其应用在集成电路领域来缓解散热困难并可实现更高的运算速度，因而通过实验来确认这种高热导率的半导体材料的载流子迁移率具有重要意义。 ...
M91快速霍尔测量选件登陆PPMS系统
M91将所有必要的测量信号源和锁相等信号处理功能集于一体，可自动执行测量并计算最终霍尔系数和载流子迁移率参数。左）：完全无液氦综合物性测量系统-PPMS®DynaCool™，右）：M91快速霍尔测量仪低载流子迁移率材料分析利器M91测量功能能够检测样品电极接触并确保测量始终在最佳样品条件下进行。特别是在测量低载流子迁移率材料时，可以更快、更好地完成相关测量。...