ASTM F76-08(2016)
测量电阻率和霍尔系数和测定单晶半导体中霍尔迁移率的标准试验方法

Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors

被代替

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 ASTM F76-08(2016) 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号

ASTM F76-08(2016)

发布

2008年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F76-08(2016)e1

当前最新

ASTM F76-08(2016)e1

 

 

适用范围

1.1 这些测试方法涵盖了测量单晶半导体样品的电阻率和霍尔系数的两个程序。这些测试方法的最大区别在于其测试样本的要求。
1.1.1 测试方法A，van der Pauw (1)8201;2—该测试方法需要单个连接的测试样本（没有任何孤立的孔），厚度均匀，但形状任意。触点必须足够小并且位于样本的外围。对于其传导由单一类型的载流子主导的各向同性半导体，该测量最容易解释。
1.1.2“测试方法 B，平行六面体或桥式”该测试方法需要厚度均匀且具有指定形状的样本。平行六面体和桥几何形状都指定了接触要求。这些测试样本的几何形状对于各向异性半导体来说是理想的，因为测量的参数取决于电流的方向。当传导由单一类型的载体主导时，该测试方法也最容易解释。 1.2 这些测试方法不提供成型、清洁或接触样本的程序；然而，给出了验证接触质量的程序。注 1：实践 F418 涵盖砷化镓磷化物样品的制备。
1.3 实践中的方法 F418 没有提供基本半导体特性（例如，多数和少数载流子迁移率和密度）方面结果的解释。附录中提供了一些适用于某些半导体和温度范围的一般指南。然而，在大多数情况下，解释权留给用户。 1.4 8201 的实验室间测试；这些测试方法（第 19 节）仅在有限的电阻率范围内进行，并且适用于半导体、锗、硅和砷化镓。然而，只要已知合适的样品制备和接触程序，该方法也适用于其他半导体。该方法适用的电阻率范围受到测试样本几何形状和仪器灵敏度的限制。

ASTM F76-08(2016)相似标准

推荐

ASTM F76-08(2016) 中可能用到的仪器设备