ASTM F76-08(2016)由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2008。
ASTM F76-08(2016)在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
1.1 这些测试方法涵盖了测量单晶半导体样品的电阻率和霍尔系数的两个程序。这些测试方法的最大区别在于其测试样本的要求。
1.1.1 测试方法A，van der Pauw (1)8201;2—该测试方法需要单个连接的测试样本（没有任何孤立的孔），厚度均匀，但形状任意。触点必须足够小并且位于样本的外围。对于其传导由单一类型的载流子主导的各向同性半导体，该测量最容易解释。
1.1.2“测试方法 B，平行六面体或桥式”该测试方法需要厚度均匀且具有指定形状的样本。平行六面体和桥几何形状都指定了接触要求。这些测试样本的几何形状对于各向异性半导体来说是理想的，因为测量的参数取决于电流的方向。当传导由单一类型的载体主导时，该测试方法也最容易解释。 1.2 这些测试方法不提供成型、清洁或接触样本的程序；然而，给出了验证接触质量的程序。注 1：实践 F418 涵盖砷化镓磷化物样品的制备。
1.3 实践中的方法 F418 没有提供基本半导体特性（例如，多数和少数载流子迁移率和密度）方面结果的解释。附录中提供了一些适用于某些半导体和温度范围的一般指南。然而，在大多数情况下，解释权留给用户。 1.4 8201 的实验室间测试；这些测试方法（第 19 节）仅在有限的电阻率范围内进行，并且适用于半导体、锗、硅和砷化镓。然而，只要已知合适的样品制备和接触程序，该方法也适用于其他半导体。该方法适用的电阻率范围受到测试样本几何形状和仪器灵敏度的限制。
产品功能：1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准2·电阻测量范围宽：100nΩ（低电阻选件）~ 100GΩ（高阻系统）；3·使用插入式样品卡，样品安装方便，同时提供四探针卡，免去制作电极的麻烦4·标准系统一次可以同时测量2个样品，增加选件可同时测量4个样品；5·测量和计算过程由软件自动执行，3分钟即可得到一个霍尔效应数据；6·提供长时间高稳定性的磁场，24小时稳定性...
霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 霍尔效应测试仪介绍 该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。 ...
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